Chaintech APOGEE GT DDR3 1800 4GB Low Voltage Memory
Friday, 25 July 2008
Walton Chaintech Corporation a lansat astazi noile kit-uri de memorii APOGEE GT Blazer DDR3 1800 4GB Low Voltage. Acestea suporta EPP 2.0 si folosesc cel mai mic voltaj (numai 1.8V) comparativ cu memoriile similare ca viteza de pe piata, pentru un consum energetic redus si implicit pentru o durata de viata mai mare.
Noul kit de 4GB, APOGEE GT DDR3 1800, foloseste numai 1.8V pentru a atinge latentele de 8-8-8-24 si da dovada de performante spectaculoase: peste 28.8GB/sec in testul de latime de banda (citire si scriere) din benchmark-ul EVEREST.
Sistemul de racire este imbunatatit prin tehnologia Cool It Smart™, ce consta intr-un radiator suplimentar atasat pe deasupra DIMM-urilor de memorie. Memoriile APOGEE GT DDR3 1800 au un PCB cu 8 straturi si 16 chip-uri de memorie Samsung de 128M, care sunt recunoscute pentru capacitatea mare de overclocking, fiecare chip de memorie fiind atent selectionat pentru a indeplini conditiile stricte de calitate. In plus, toate chip-urile de memorie sunt fabricate folosind tehnologia Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA) pentru o mai buna disipare termica si pentru un consum mai redus de energie electrica.
Sursa: Walton Chaintech
